价 格: | 0.13 | |
加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | 2SC3356 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
集电极允许电流ICM: | 4(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 9(W) | |
截止频率fT: | 1(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。2.主要应用:2SC3356主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。3.主要特性 高增益: ??S21??2 典型值为 11.5dB 低躁声: NF典型值为 1.5 dB 特征频率: fT典型值为 7GHz 4.极限工作条件范围 (T=25℃): 集电极基极击穿电压VCBO-20V 集电极发射极击穿电压VCEO-12V 发射极基极击穿电压VEBO-3V 集电极电流IC-100mA 功耗PC 200mW5.HFE规格 标号R23/ R24/ R25 HFE 50-100/ 80-150/ 125-2506.封装形式 :SOT-23、 SOT-59)
批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC4901 。2SC4901主要用于VHF、UHF高频低噪声放大器. 长期供应,货源稳定。**主要特性:高增益: ︱S21︱2 典型值为 13dB f =0.9GHz、Vce=5V、Ic=20mA低躁声: NF典型值为 1.3dB f =1GHz、Vce=5V、Ic=5mA增益带宽乘积: fT典型值为 9GHz f =1GHz、Vce=5V、Ic=20mA**极限工作条件范围 (T=25℃): 基集电极极击穿电压 VCBO 15V 集电极发射极击穿电压VCEO9V 发射极基极击穿电压 VEBO 3V 集电极电流IC 50 mA 功耗PC 0.1W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号G HFE 50-100标号 R HFE 80-150标号 S HFE 125-300**封装形式 SOT-323**包装基数 3000/盘"
产地:台湾型号:006F、006H、006G、006I、007A。2300。2301。2302一、代理商批量供应MOSFET管“006F”、“006G”、“006H”、“006I”、“007A”,SOT23-3封装。适合在各类便携式设备如手机充电器上使用。二、代理商批量供应可调式DC-DC控制升压型电路“8A65”"8A66""8A67""8A6C",SOT23-5封装。起动电压最小在0.9V。可通过外部电阻来调节输出电压为5.5V、5.6V、5.7V、5.8V或者6.0V,电流可通过外接MOS管来扩流。本产品结合了微型封装和低静态电流等的特点,适合在各类便携式设备如手机电池充电器上使用。三.代理商批量供应DC-DC控制升压型电路BDV71系列,SOT-23-5封装。固定输出电压5.6V。适合在手机电池充电器上使用。四.代理商批量供应DC-DC控制升压型电路ZH882系列,SOT-23-5封装。固定输出电压5.8V。本产品结合了微型封装和低静态电流等的特点,适合在手机电池充电器上使用