肖特基二极管BAT42W
| 价 格： | 0.80 | |
| 产品类型： | 肖特基管 | |
| 是否进口： | 是 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | BAT42W | |
| 材料： | 其他 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| LED封装： | 其他 | |
| 封装形式： | 贴片型 |
NA Diode - Schottky Single 30V 200mW
| BAT42WS, BAT43WS |
| SOD-323-2 |
| Diode Handling and Mounting |
| MCC Diode SOD-323 Pkg |
| 10 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/整流器 |
| - |
| 1V @ 200mA |
| 30V |
| 100mA |
| 500nA @ 25V |
| 肖特基 |
| 小信号 =< 200mA (Io)，任意速度 |
| 5ns |
| - |
| 表面贴装 |
| SOD-323-2 |
| SOD-323 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDN357NBSS138
信息内容：SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET数据列表FDN357N产品相片SOT-23-3产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Mold Compound Change 07/Dec/2007Mold Compound Change 08/April/2008产品目录绘图SuperSOT-3, SOT-23标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 2.2A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.9AId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs5.9nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)235pF @ 10V功率 - 460mW安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3包装带卷 (TR)供应商设备封装3-SSOT产品目录页面1554 (CN2010-11 Interactive)1554 (CN2010-11 PDF)其它名称FDN357NTR
N沟MOSF管IRF540NS
信息内容：数据列表IRF540N(S,L)PbF产品相片D2PAK Pkg标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1960pF @ 25V功率 - 130W安装类型表面贴装封装/外壳D²Pak，TO-263（2 引线 接片）包装管件其它名称*IRF540NSPBF
