供应韩国光电子 接收二极管 HPI6FER2 光电二极管日本光电子
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | HPI6FER2 | |
| 材料： | 砷铝化镓(GaAlAs) | |
| 品牌/商标： | KODENSHI | |
| 产品类型： | PIN管 | |
| 是否进口： | 是 | |
| 是否提供加工定制： | 是 |
接受波域：400nm-1100m，700-1050nm
輸出特性：IR光电流輸出，適用於距离检知,ON/OFF控制、烟雾检知
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- 所属城市：上海 上海市
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台湾光宏 10 x 10 mil 红光LED芯片 BN-R1010A-A3
信息内容：ScopeThis specification applies to AlInGaP metal bonding 10 x 10 mil red LED chip, BN-R1010A-A3 MaterialsP-pad：Au alloy。N-pad：Au alloy。 DimensionsChip size：255μm x 255μm±25μm。P-pad： Ø90μm, thickness 3.5±0.3μm。Chip thickness：200μm±25μm。 Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)20mA640-680nmLuminous intensity(Iv)20mA50-650mcdForward voltage(Vf1)20mA1.5-2.4VReverse current (Ir)-10V0-0.5uA
台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B3030D-A3（蓝光）双电极
信息内容：目的 本規格書針對光鋐科技之 30milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B3030D –A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontactlayer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:710±30um宽度: 710±30um厚度: 2±0.2um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:150±10um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)300mA445-475nmRadiant intensity(I)300mA150-410mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.9-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.8-3.8VReverse current (Ir)-5V0-2uA
