台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B3030D-A3（蓝光）双电极
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | EP-B3030D-A3 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 蓝色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 30*30（mil） | |
| 亮度： | 超高亮 | |
| 电压： | 3.8（V） | |
| 波长： | 445~475（nm） |
目的 | |||
本規格書針對光鋐科技之 30milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B3030D –A3)之相 關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 | |||
产品特性 | |||
本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結 構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontact layer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度:710±30um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 300mA | 445 | - | 475 | nm |
Radiant intensity(I) | 300mA | 150 | - | 410 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.9 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.8 | - | 3.8 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
- 所属城市：上海 上海市
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台湾光宏 大功率 LED芯片 BN-Y3232A-A3（黄光）
信息内容：目的本規格書針對光鋐科技之32mil InGaN黄光LED晶粒(BN-Y3232A-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準黄寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmic contactlayer)，並以3.5um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:810±30um宽度: 810±30um 厚度: 3.5±0.3um焊垫直径: 110±10um焊垫厚度:200±25um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA570-610nmRadiant intensity(I)350mA4150-12000mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.3-2.5VForward voltage(Vf1)350mA1.8-2.8VReverse current (Ir)-10V0-2uA
