台湾光宏 10 x 10 mil 红光LED芯片 BN-R1010A-A3
| 价 格： | 面议 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | BN-R1010A-A3 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 红色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 10 x 10（mil） | |
| 亮度： | 超高亮 | |
| 波长： | 650（nm） |
| Scope | |||||
This specification applies to AlInGaP metal bonding 10 x 10 mil red LED chip, BN-R1010A-A3 | |||||
| Materials | |||||
P-pad：Au alloy。 | |||||
| Dimensions | |||||
Chip size：255μm x 255μm±25μm。 | |||||
| Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C) | |||||
| Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
| Dominant wavelength(Wd) | 20mA | 640 | - | 680 | nm |
| Luminous intensity(Iv) | 20mA | 50 | - | 650 | mcd |
| Forward voltage(Vf1) | 20mA | 1.5 | - | 2.4 | V |
| Reverse current (Ir) | -10V | 0 | - | 0.5 | uA |
- 所属城市：上海 上海市
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台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B3030D-A3（蓝光）双电极
信息内容：目的 本規格書針對光鋐科技之 30milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B3030D –A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontactlayer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:710±30um宽度: 710±30um厚度: 2±0.2um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:150±10um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)300mA445-475nmRadiant intensity(I)300mA150-410mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.9-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.8-3.8VReverse current (Ir)-5V0-2uA
台湾光宏 大功率 LED芯片 BN-Y3232A-A3（黄光）
信息内容：目的本規格書針對光鋐科技之32mil InGaN黄光LED晶粒(BN-Y3232A-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準黄寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmic contactlayer)，並以3.5um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:810±30um宽度: 810±30um 厚度: 3.5±0.3um焊垫直径: 110±10um焊垫厚度:200±25um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA570-610nmRadiant intensity(I)350mA4150-12000mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.3-2.5VForward voltage(Vf1)350mA1.8-2.8VReverse current (Ir)-10V0-2uA
