价 格: | 1.00 | |
品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
型号/规格: | SPB20N60C3 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
材料: | MES金属半导体 | |
开启电压: | 10(V) | |
夹断电压: | 650(V) | |
跨导: | 190(μS) | |
极间电容: | 2400(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 20700(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
SPB20N60C3 |
1,000 |
分离式半导体产品 |
FETs - Single |
CoolMOS™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
190 毫欧 @ 13.1A, 10V |
650V |
20.7A |
3.9V @ 1mA |
114nC @ 10V |
2400pF @ 25V |
208W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
带卷 (TR) |
PG-TO263-3 |
东芝场效应管 2SK4107 500V,15A 深圳永恒伟业电子有限公司 郗小姐 13424340840 xxt016@163.com qq:1051265187
数据列表TSM101/A产品相片8-SOIC其它有关文件TSM101 View All Specifications标准包装2,500类别集成电路 (IC)家庭PMIC - 电池管理系列-功能充电管理电池化学所有电池类型电源电压4.5 V ~ 32 V工作温度-40°C ~ 105°C安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装SO-8包装带卷 (TR)