价 格: | 1.00 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | 2SK4107 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 500(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 0(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 1500(mA) | |
耗散功率: | 0(mW) |
东芝场效应管 2SK4107 500V,15A 深圳永恒伟业电子有限公司 郗小姐 13424340840 xxt016@163.com qq:1051265187
数据列表TSM101/A产品相片8-SOIC其它有关文件TSM101 View All Specifications标准包装2,500类别集成电路 (IC)家庭PMIC - 电池管理系列-功能充电管理电池化学所有电池类型电源电压4.5 V ~ 32 V工作温度-40°C ~ 105°C安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装SO-8包装带卷 (TR)
数据列表IRF840PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4.8A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V功率 - 125W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件