价 格: | 1.10 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | TSM101AIDT | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
TSM101/A |
8-SOIC |
TSM101 View All Specifications |
2,500 |
集成电路 (IC) |
PMIC - 电池管理 |
- |
充电管理 |
所有电池类型 |
4.5 V ~ 32 V |
-40°C ~ 105°C |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
SO-8 |
带卷 (TR) |
数据列表IRF840PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4.8A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V功率 - 125W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件
数据列表 2SK4108 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 MOSFET,GaNFET - 单 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 10A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3400pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 2-16C1B (TO-247 N) 包装 管件 深圳永恒伟业电子有限公司 郗小姐 13424340840 xxt016@163.com qq:1051265187