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供应TSM101AIDT 原装,假一罚十

价 格: 1.10
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:TSM101AIDT
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:DC/直流
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道

数据列表产品相片其它有关文件标准包装类别家庭系列功能电池化学电源电压工作温度安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
TSM101/A
8-SOIC
TSM101 View All Specifications
2,500
集成电路 (IC)
PMIC - 电池管理
-
充电管理
所有电池类型
4.5 V ~ 32 V
-40°C ~ 105°C
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
SO-8
带卷 (TR)

深圳市永恒伟业电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 刘小微
  • 电话:0755-82956317
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供应IRF840PBF原装,假一罚十

信息内容:

数据列表IRF840PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4.8A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V功率 - 125W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件

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东芝场效应管 2SK4108

信息内容:

数据列表 2SK4108 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 MOSFET,GaNFET - 单 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 10A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3400pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 2-16C1B (TO-247 N) 包装 管件 深圳永恒伟业电子有限公司 郗小姐 13424340840 xxt016@163.com qq:1051265187

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