东芝场效应管 2SK4108
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | 2SK4108 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 500（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 2000（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
数据列表 2SK4108
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 MOSFET，GaNFET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3400pF @ 25V
功率 - 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 2-16C1B (TO-247 N)
包装 管件
深圳永恒伟业电子有限公司 郗小姐 13424340840 xxt016@163.com qq：1051265187
深圳市永恒伟业电子有限公司
公司信息未核实
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