价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFSL5615PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 35000(μS) | |
极间电容: | 1750(pF) | |
漏极电流: | 33000(mA) | |
耗散功率: | 144000(mW) |
•封装形式:TO-262
•导通电阻:RDS(ON)=42mΩ
•栅极电荷量:QGD=9nC
• 反向恢复时间:Trr=120nS
•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C
•漏源电压:VDSS=150V
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
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• VDS=710V • ID=17A• 导通电阻:R<0.179Ω• 总耗散功率:30W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=800V • ID=0.25A• 导通电阻:R<16Ω• 总耗散功率:2.5W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C