场效应管 IPDH6N03LA G,H6N03LA
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | IPDH6N03LAG,MOS,25V,50A,0.006Ω,252 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | ±20 | |
| 极间电容： | 2390 | |
| 漏极电流： | 50A |
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IPDH6N03LAG,MOS,25V,50A,0.006Ω,252
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 2SK3561,K3561,K3313
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AO 场效应MOS管 AON5802 5802
信息内容：产品型号:AON5802封装:DFN 2X5源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±12漏极电流Id(A):7.2源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 4.5V开启电压VGS(TH)(V):1.5功率PD(W):1.7极间电容Ciss(PF):1115通道极性:双N低频跨导gFS(s)：37单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~150描述:30V,7.2A Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
