场效应管 2SK3561,K3561,K3313
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | 2SK3561/2SK3313,TO-220F,TOSHIBA,DIP/MOS,500V | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 夹断电压： | ±30（V） | |
| 低频跨导： | 6.5S , 8.5S（μS） | |
| 极间电容： | 1050 ， 2040（pF） | |
| 漏极电流： | 8A , 12A（mA） | |
| 耗散功率： | 40W（mW） |
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2SK3561 TO-220F定型脚 06NPB TOSHIBA DIP/MOS N场 500V 8A 0.85Ω
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2SK3568 TOSHIBA TO-220F定型脚
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AO 场效应MOS管 AON5802 5802
信息内容：产品型号:AON5802封装:DFN 2X5源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±12漏极电流Id(A):7.2源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 4.5V开启电压VGS(TH)(V):1.5功率PD(W):1.7极间电容Ciss(PF):1115通道极性:双N低频跨导gFS(s)：37单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~150描述:30V,7.2A Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 AP20T03GH 20T03GH
信息内容：AP20T03GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,12.5A,0.05ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源AP MOSFET场效应管系列:AP9T16GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,25A,0.025ΩAP9977GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,11A,0.1ΩAP20T03GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,12.5A,0.05ΩAP4435GJ,TO-251,DIP/MOS,P场,-30V,-40A,0.02ΩAP9435GJ,TO-251,DIP/MOS,P场,-30V,-20A,0.06ΩAP9T18GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,38A,0.014ΩAP03N70J,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,3.3A,3.6ΩAP40T03GJ,TO-251,DIP/MOS,N场,30V,28A,0.025ΩAP4532M AP/富鼎 SOP-8 SMD/MOS N P场 30V 5A 0.05ΩAP4410M AP/富鼎 SOP-8 SMD/MOS N场 30V 10A 0.0135ΩAP4800M AP/富鼎 SOP-8 SMD/MOS N场 25V 9A 0.018ΩAP4880M AP/富鼎 SOP-8 SMD/MOS N场 25V 13A 0.0085ΩAP6680M AP/富鼎 SOP-8 SMD/MOS N场 30V 11.5A 0.011ΩAP9915K AP/富鼎 SOT-223 SMD/MOS N场 20V 6.2A 0.05ΩAP2306N AP/富鼎 SOT-23 SMD/MOS N场 20V 5.3A 0.027ΩAP2310GN AP/富鼎 SOT-23 SMD/MOS N场 60V 3A 0.09ΩAP01N60H AP/富鼎 SOT-252 SMD/MOS N场 600V ...
