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AO 场效应MOS管 AON5802 5802

价 格: 面议
漏极电流:7.2A
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:AON5802,双N,DFN 2X5,30V 7.2A/30V 7.2A 2,0.02Ω
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:AO
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
夹断电压:12
导电方式:增强型
极间电容:1115

产品型号:AON5802

封装:DFN 2X5

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±12

漏极电流Id(A):7.2

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 4.5V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):1.7

极间电容Ciss(PF):1115

通道极性:双N

低频跨导gFS(s):37

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,7.2A  Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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深圳市金城微零件有限公司
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