深圳公司现货IR双N沟道MOS管SOP-8原装IRF9956TRPBF场效应管
| 价 格： | 1.10 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF9956TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2W | |
| 电压： | 30V | |
| 电流： | 3.5A |
描述
第五代HEXFETs国际整流器
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，提供设计师
一个非常有效和可靠的设备
在各种各样的应用中。
SO-8已被修改通过定制的
引线框架和热特性增强
多模能力，使其成为理想中各种
功耗的应用。有了这些改进，多
在一个应用程序的器件可用于与显着
减少电路板空间。该软件包是专为
汽相，红外线，或波峰焊技术。
封装图片展示
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深圳公司现货IR单N沟道MOS管SOP-8原装IRF7822TRPBF场效应管
信息内容：N-通道专用MOSFETCPU核心DC-DC转换器的理想选择低传导损耗低开关损耗描述这种新的设备采用了先进的HEXFET功率MOSFET技术，实现了前所未有的导通电阻和栅极电荷平衡。减少传导和开关损耗，使得它非常适用于高高效DC-DC转换器，电源的代微处理器。IRF7822已经优化所有参数是关键的同步降压转换器，包括RDS（上）栅极电荷和Cdv / dt引起导通免疫力。IRF7822提供特别低的RDS（on） 和高犬瘟热/同步FET应用程序的的dt抗扰性。该包装是专为气相，红外线，对流，或波峰焊技术。功率大于3W是功耗可能在一个典型的PCB安装的应用程序。封装图片展示dzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpg"
12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7831TRPBF场效应管
信息内容：参数FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 21A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 3.6 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 2.35V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 60nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6240pF @ 15V功率 - 值 2.5W应用高频负载点同步降压转换器在网络与应用电脑系统。优点非常低的RDS（ON），在4.5VVGS超低栅极阻抗充分界定雪崩电压 和电流100％测试RG无铅封装图片展示dzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpg
