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供应场效应管IRF3205PBF,IRF3710PBF, IRFP460PBF 原装现货

价 格: 2.28
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF3205PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:CC/恒流
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:GE-N-FET锗N沟道

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
IRF3205
TO-220-3, TO-220AB
IR Hexfet TO-220AB
50
分离式半导体产品
FET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
55V
110A
8 毫欧 @ 62A, 10V
4V @ 250µA
146nC @ 10V
3247pF @ 25V
200W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件

深圳市永恒伟业电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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特价优势供应Infineon原装SPB20N60C3

信息内容:

数据列表SPB20N60C3标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FETs - Single系列CoolMOS™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 13.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20.7AId 时的 Vgs(th)()3.9V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs114nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2400pF @ 25V功率 - 208W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装带卷 (TR)供应商设备封装PG-TO263-3

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东芝场效应管 2SK4107

信息内容:

东芝场效应管 2SK4107 500V,15A 深圳永恒伟业电子有限公司 郗小姐 13424340840 xxt016@163.com qq:1051265187

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