| 价 格: | 2.28 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRF3205PBF | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | CC/恒流 | |
| 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
| IRF3205 |
| TO-220-3, TO-220AB |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 标准型 |
| 55V |
| 110A |
| 8 毫欧 @ 62A, 10V |
| 4V @ 250µA |
| 146nC @ 10V |
| 3247pF @ 25V |
| 200W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| TO-220AB |
| 管件 |
数据列表SPB20N60C3标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FETs - Single系列CoolMOS™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 13.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20.7AId 时的 Vgs(th)()3.9V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs114nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2400pF @ 25V功率 - 208W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装带卷 (TR)供应商设备封装PG-TO263-3
东芝场效应管 2SK4107 500V,15A 深圳永恒伟业电子有限公司 郗小姐 13424340840 xxt016@163.com qq:1051265187