2012+深圳公司现货仙童DC/DC变换器SOP-8原装FDS6692场效应管
| 价 格： | 0.90 | |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FDS6692 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - ： | 1.47W | |
| 电流： | 9A | |
| 电压： | 30V |
FDS6692
30V N沟道PowerTrenchMOSFET
应用
·DC / DC变换器
概述
N-沟道MOSFET而设计
专门用于提高整体效率的DC / DC
转换器采用同步或常规
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低RDS（ON）和快速开关速度。
特点
·12A，30 V的RDS（ON）=12毫瓦@ VGS= 10V。
RDS（ON）= 14.5毫瓦@ VGS= 4.5 V
·高性能沟道技术极
低RDS（ON）
·低栅极电荷（18nC典型）
高功率和电流处理能力
图片展示
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- 所属城市：广东 深圳
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深圳公司现货IR双N沟道MOS管SOP-8原装IRF9956TRPBF场效应管
信息内容：描述第五代HEXFETs国际整流器利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这的好处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供设计师一个非常有效和可靠的设备在各种各样的应用中。SO-8已被修改通过定制的引线框架和热特性增强多模能力，使其成为理想中各种功耗的应用。有了这些改进，多在一个应用程序的器件可用于与显着减少电路板空间。该软件包是专为汽相，红外线，或波峰焊技术。封装图片展示dzsc/18/9975/18997578.jpgdzsc/18/9975/18997578.jpgdzsc/18/9975/18997578.jpgdzsc/18/9975/18997578.jpgdzsc/18/9975/18997578.jpgdzsc/18/9975/18997578.jpgdzsc/18/9975/18997578.jpgdzsc/18/9975/18997578.jpgdzsc/18/9975/18997578.jpg
深圳公司现货IR单N沟道MOS管SOP-8原装IRF7822TRPBF场效应管
信息内容：N-通道专用MOSFETCPU核心DC-DC转换器的理想选择低传导损耗低开关损耗描述这种新的设备采用了先进的HEXFET功率MOSFET技术，实现了前所未有的导通电阻和栅极电荷平衡。减少传导和开关损耗，使得它非常适用于高高效DC-DC转换器，电源的代微处理器。IRF7822已经优化所有参数是关键的同步降压转换器，包括RDS（上）栅极电荷和Cdv / dt引起导通免疫力。IRF7822提供特别低的RDS（on） 和高犬瘟热/同步FET应用程序的的dt抗扰性。该包装是专为气相，红外线，对流，或波峰焊技术。功率大于3W是功耗可能在一个典型的PCB安装的应用程序。封装图片展示dzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpgdzsc/19/0090/19009087.jpg"
