台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B4040F-A3（蓝光）双电极
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | EP-4040F-A3 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 蓝色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 40*40（mil） | |
| 亮度： | 超高亮 | |
| 电压： | 3.6（V） | |
| 波长： | 445~475（nm） |
目的 | |||
本規格書針對光鋐科技之 40milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B4040F-A3) 之相 關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 | |||
产品特性 | |||
本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結 構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontact layer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度:945±30um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 445 | - | 475 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 195 | - | 480 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 2 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.8 | - | 3.6 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
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供应韩国光电子 接收二极管 HPI6FER2 光电二极管日本光电子
信息内容：接受波域：400nm-1100m，700-1050nm輸出特性：IR光电流輸出，適用於距离检知,ON/OFF控制、烟雾检知 dzsc/18/9990/18999049.jpgdzsc/18/9990/18999049.jpgdzsc/18/9990/18999049.jpgdzsc/18/9990/18999049.jpg
台湾光宏 10 x 10 mil 红光LED芯片 BN-R1010A-A3
信息内容：ScopeThis specification applies to AlInGaP metal bonding 10 x 10 mil red LED chip, BN-R1010A-A3 MaterialsP-pad：Au alloy。N-pad：Au alloy。 DimensionsChip size：255μm x 255μm±25μm。P-pad： Ø90μm, thickness 3.5±0.3μm。Chip thickness：200μm±25μm。 Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)20mA640-680nmLuminous intensity(Iv)20mA50-650mcdForward voltage(Vf1)20mA1.5-2.4VReverse current (Ir)-10V0-0.5uA
