台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-G3535A-A3（绿光）双电极
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | EP-G3535A-A3 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 绿色 | |
| 大小： | 35*35（mil） | |
| 电压： | 2.6~3.8（V） | |
| 波长： | 500~540（nm） |
目的 | |||
本規格書針對光鋐科技之35milInGaN綠光LED晶粒(EP-G3535A-A3)之相 關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 | |||
产品特性 | |||
本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結 構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontact layer)，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度: 865±30um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 500 | - | 540 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 15700 | - | 35800 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.7 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.6 | - | 3.8 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
- 所属城市：上海 上海市
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台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B4040F-A3（蓝光）双电极
信息内容：目的 本規格書針對光鋐科技之 40milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B4040F-A3) 之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontactlayer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:945±30um宽度: 945±30um厚度: 150±10um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:2±0.2um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA445-475nmRadiant intensity(I)350mA195-480mW/srForward voltage(Vf4)10uA2-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.8-3.6VReverse current (Ir)-5V0-2uA "
供应韩国光电子 接收二极管 HPI6FER2 光电二极管日本光电子
信息内容：接受波域：400nm-1100m，700-1050nm輸出特性：IR光电流輸出，適用於距离检知,ON/OFF控制、烟雾检知 dzsc/18/9990/18999049.jpgdzsc/18/9990/18999049.jpgdzsc/18/9990/18999049.jpgdzsc/18/9990/18999049.jpg
