台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B2424C-A3（蓝光）
| 价 格： | 面议 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | EP-B2424C-A3 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 蓝色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 24*24（mil） | |
| 亮度： | 超高亮 | |
| 电压： | 3.8（V） | |
| 波长： | 445~475（nm） |
InGaN/GaN?
本規格書針對光鋐科技之24*24mil InGaN/GaN蓝光LED晶粒(EP-B2424C-A3)之 相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。 | |||
产品特性 | |||
本產品為InGaN/GaN磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，N-pad 在上雙電極垂直結構，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度:610±30um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 150mA | 445 | - | 475 | nm |
Radiant intensity(I) | 150mA | 40 | - | 180 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.9 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 150mA | 2.8 | - | 3.8 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
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台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-G3535A-A3（绿光）双电极
信息内容：目的 本規格書針對光鋐科技之35milInGaN綠光LED晶粒(EP-G3535A-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontactlayer)，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度: 865±30um宽度: 865±30um厚度: 2±0.2um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:150±10um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA500-540nmRadiant intensity(I)350mA15700-35800mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.7-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.6-3.8VReverse current (Ir)-5V0-2uA
台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B4040F-A3（蓝光）双电极
信息内容：目的 本規格書針對光鋐科技之 40milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B4040F-A3) 之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontactlayer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:945±30um宽度: 945±30um厚度: 150±10um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:2±0.2um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA445-475nmRadiant intensity(I)350mA195-480mW/srForward voltage(Vf4)10uA2-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.8-3.6VReverse current (Ir)-5V0-2uA "
