供应 场效应管 TK13A65U,TK13A65,K13A65U
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK13A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,13A,0.38Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK13A65U
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):13
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.38
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):950 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：1.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):86
导通延迟时间Td(on)(ns):65 typ.
上升时间Tr(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,13A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FDD8451
信息内容：产品型号:FDD8451 概述 N-沟道MOSFET而专门设计的，以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。 它已被优化的低门电荷，快速开关速度和非常低的RDS（ON）。 应用 * DC / DC变换器 * 背光逆变器 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.024 漏极电流Id(on)(A):28 功率PD(W):30 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:40 V, 28A 功率MOSFET 特点: * Max rDS(on)=24mΩ at VGS = 10V, ID = 9A * Max rDS(on)=30mΩ at VGS = 4.5V, ID = 7A * 低栅极电荷 * 快速开关 * 高性能沟槽技术非常低RDS（ON） * RoHS标准 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SI7636DP-T1-E3,SI7636DP
信息内容：产品型号:SI7636DP-T1-E3 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 漏极电流Id(on)(A):17 功率PD(W):1.9 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):QFN8 5*6/PowerPAK SO-8/-55 ~150 描述:30V, 17A 功率MOSFET 特点 •无卤素根据IEC 61249-2-21可用的 •超低导通电阻采用高密度第二代TrenchFET功率MOSFET技术 •优化的Qg •新的低热阻的PowerPAK®封装低1.07 mm外形 •100％的Rg测试 应用 •低端的DC / DC转换 - 笔记本电脑 - 服务器 - 工作站 •同步整流，POL (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查 询\下载.)
