供应 场效应管 TK15A50D,TK15A50,K15A50D
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK15A50D,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,15A,0.3Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK15A50D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):15
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):2300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):542
导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ.
上升时间Tr(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ.
下降时间Tf(ns):25 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,15A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 TK11A60D,K11A60D,TK11A60
信息内容：产品型号:TK11A60D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):11 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.65 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):396 导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ. 上升时间Tr(ns):25 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):110 typ. 下降时间Tf(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,11A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 TK12A60,TK12A60D,K12A60D
信息内容：产品型号:TK12A60D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):359 导通延迟时间Td(on)(ns):80 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):110 typ. 下降时间Tf(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
