供应 场效应管 TK11A60D,K11A60D,TK11A60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK11A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,11A,0.65Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK11A60D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):11
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.65
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):396
导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.
上升时间Tr(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):110 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,11A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK12A60,TK12A60D,K12A60D
信息内容：产品型号:TK12A60D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):359 导通延迟时间Td(on)(ns):80 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):110 typ. 下降时间Tf(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 TK20A60,TK20A60U,K20A60U
信息内容：产品型号:TK20A60U 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.19 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1470 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：12 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):144 导通延迟时间Td(on)(ns):80 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,20A N-沟道增强型场效应晶体管
