台湾光宏 大功率 LED芯片 BH-C4242D-A1（红光）双电极
| 价 格： | 面议 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | BH-C4242D-A1 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 红色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 42*42（mil） | |
| 亮度： | 高亮 | |
| 电压： | 1.8~2.6（V） | |
| 波长： | 650~680（nm） |
| Scope | |||||
This specification applies to AlInGaP metal bonding 42 x 42mil red LED chip, BH-C4242D-A1. | |||||
| Materials | |||||
P-pad：Au alloy. | |||||
| Dimensions | |||||
Chip size：1060±25μm x 1060±25μm | |||||
| Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C) | |||||
| Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
| Peak wavelength(Wp) | 350mA | 650 | - | 680 | nm |
| Radiant intensity(I) | 350mA | 12 | - | 40 | mW |
| Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.3 | - | 2.5 | V |
| Forward voltage(Vf1) | 350mA | 1.8 | - | 2.6 | V |
| Reverse current (Ir) | -10V | 0 | - | 2 | uA |
- 所属城市：上海 上海市
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台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B2424C-A3（蓝光）
信息内容：InGaN/GaN?本規格書針對光鋐科技之24*24mil InGaN/GaN蓝光LED晶粒(EP-B2424C-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。产品特性本產品為InGaN/GaN磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，N-pad在上雙電極垂直結構，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。 外观尺寸长度:610±30um宽度: 610±30um 厚度:2±0.2um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:150±10um 光电特性 Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)150mA445-475nmRadiant intensity(I)150mA40-180mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.9-2.5VForward voltage(Vf1)150mA2.8-3.8VReverse current (Ir)-5V0-2uA "
台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-G3535A-A3（绿光）双电极
信息内容：目的 本規格書針對光鋐科技之35milInGaN綠光LED晶粒(EP-G3535A-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontactlayer)，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度: 865±30um宽度: 865±30um厚度: 2±0.2um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:150±10um 光电特性Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA500-540nmRadiant intensity(I)350mA15700-35800mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.7-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.6-3.8VReverse current (Ir)-5V0-2uA
