台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B2420A-A3（蓝白）
| 价 格： | 0.32 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | EP-B2420A-A3 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 蓝色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 20*24（mil） | |
| 亮度： | 超高亮 | |
| 电压： | 3.6v 以下（V） | |
| 波长： | 450~462.5（nm） |
目的 | |||
本規格書針對光鋐科技之24x20mil InGaN藍光LED晶粒(EP-B2420A-A3) 之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 | |||
产品特性 | |||
本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 單面雙電極結 構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN 之歐姆接觸層(Ohmic contact layer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度:510±30um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 150mA | 445 | - | 475 | nm |
Radiant intensity(I) | 150mA | 40 | - | 165 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 2 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 150mA | 2.8 | - | 3.6 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
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台湾光宏 大功率 LED芯片 BH-C4242D-A1（红光）双电极
信息内容：ScopeThis specification applies to AlInGaP metal bonding 42 x 42mil red LED chip, BH-C4242D-A1. MaterialsP-pad：Au alloy.N-pad：Au alloy. DimensionsChip size：1060±25μm x 1060±25μmP-pad：Ø120±10μm, thickness 3.5±0.3μm.N-pad：Ø120±10μm, thickness 3.5±0.3μm.Chip thickness：200μm±25μm. Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)Test parameterConditionMinTypMaxUnitPeak wavelength(Wp)350mA650-680nmRadiant intensity(I)350mA12-40mWForward voltage(Vf4)10uA1.3-2.5VForward voltage(Vf1)350mA1.8-2.6VReverse current (Ir)-10V0-2uA
台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B2424C-A3（蓝光）
信息内容：InGaN/GaN?本規格書針對光鋐科技之24*24mil InGaN/GaN蓝光LED晶粒(EP-B2424C-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。产品特性本產品為InGaN/GaN磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，N-pad在上雙電極垂直結構，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。 外观尺寸长度:610±30um宽度: 610±30um 厚度:2±0.2um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:150±10um 光电特性 Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)150mA445-475nmRadiant intensity(I)150mA40-180mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.9-2.5VForward voltage(Vf1)150mA2.8-3.8VReverse current (Ir)-5V0-2uA "
