大功率 LED芯片 EP-G4545V-A3（绿光） 85-110LM 台湾光宏
| 价 格： | 面议 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | EP-G4545V-A3 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 绿色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 45*45（mil） | |
| 亮度： | 超高亮 | |
| 电压： | 3.6V以下（V） | |
| 波长： | 505~535（nm） |
目的 | |||
本規格書針對光鋐科技之45mil InGaN/GaN绿光LED晶粒(EP-G4545V-A3)之 相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。 | |||
产品特性 | |||
本產品為InGaN/GaN磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，P-pad 在上雙電極垂直結構，並以1.2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。 | |||
|
|
|
|
外观尺寸 | |||
长度:1140±10um | |||
| |||
光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 500 | - | 540 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 15700 | - | 32600 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.7 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.8 | - | 3.8 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李隽凯
- 电话：0755-29447660
- 传真：0755-29447660
- 手机：
- QQ ：
台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B2420A-A3（蓝白）
信息内容：目的本規格書針對光鋐科技之24x20mil InGaN藍光LED晶粒(EP-B2420A-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN 之歐姆接觸層(Ohmic contactlayer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:510±30um宽度: 610±30um厚度: 150±10um焊垫直径: 90±10um焊垫厚度:2±0.2um 光电特性 Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)150mA445-475nmRadiant intensity(I)150mA40-165mW/srForward voltage(Vf4)10uA2-2.5VForward voltage(Vf1)150mA2.8-3.6VReverse current (Ir)-5V0-2uA "
台湾光宏 大功率 LED芯片 BH-C4242D-A1（红光）双电极
信息内容：ScopeThis specification applies to AlInGaP metal bonding 42 x 42mil red LED chip, BH-C4242D-A1. MaterialsP-pad：Au alloy.N-pad：Au alloy. DimensionsChip size：1060±25μm x 1060±25μmP-pad：Ø120±10μm, thickness 3.5±0.3μm.N-pad：Ø120±10μm, thickness 3.5±0.3μm.Chip thickness：200μm±25μm. Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)Test parameterConditionMinTypMaxUnitPeak wavelength(Wp)350mA650-680nmRadiant intensity(I)350mA12-40mWForward voltage(Vf4)10uA1.3-2.5VForward voltage(Vf1)350mA1.8-2.6VReverse current (Ir)-10V0-2uA
