供应 场效应管 IRF3205,CMP3205A,KIA3205B
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMP3205A,TO-220,DIP/MOS,N场,55V,110A, | |
| 品牌/商标： | IR/CMOSFET/KIA | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:KIA3205N
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):110
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):TYP.4
功率PD(W):200
极间电容Ciss(PF):2950
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480
温度(℃): -55 ~175
描述:55V,110A N-Channel POWER MOSFET TRANSISTOR
- 所属城市：广东 深圳
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供应 三极管 2SD2396,D2396
信息内容：产品型号:2SD2396 封装:TO-220F 通道极性:NPN 集电极-基极电压VCBO(V):80 集电极-发射极电压VCEO(V):60 发射极-基极电压VEBO(V):6 集电极电流 IC(A):3 功率PC(W):30 特征频率fT(MHZ):40 放大倍数hFE:400-2000 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :0.8 结温Tj(℃)150 存储温度T stg(℃): -55 ~150 描述:60V,3A NPN硅晶体管
供应 场效应管 AOTF8N50,8N50,TF8N50
信息内容：产品型号:AOTF8N50 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.6 功率PD(W):38.5 输入电容Ciss(PF):868 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307 导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 typ. 上升时间Tr(ns):47 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 typ. 下降时间Tf(ns):38.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
