供应 场效应管 AOTF8N50,8N50,TF8N50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOTF8N50,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AOTF8N50
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.6
功率PD(W):38.5
输入电容Ciss(PF):868 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307
导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 typ.
上升时间Tr(ns):47 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 typ.
下降时间Tf(ns):38.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 STP40NF10,P40NF10,STP40NF10L
信息内容：产品型号:STP40NF10 特点: 优异的的dv / dt能力 低栅极电荷 100％的雪崩测试 应用 开关应用 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):150 输入电容Ciss(PF):2180 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：22 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):385 导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ. 上升时间Tr(ns):46 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):54 typ. 下降时间Tf(ns):13 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:100V,50A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 CMU40N03,CMU80N03
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CMU40N03 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω): 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W): 极间电容Ciss(PF): 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 封装/温度(℃):TO-251 /-55 ~150 描述:30V,40A N-Channel 功率MOSFET
