供应 场效应管 CMU40N03,CMU80N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMU40N03,TO-251,DIP/MOS,N场,30V,40A, | |
| 品牌/商标： | CMOSFET | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CMU40N03
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):
极间电容Ciss(PF):
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
封装/温度(℃):TO-251 /-55 ~150
描述:30V,40A N-Channel 功率MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CMP5N50,MDP5N50,SiHP5N50D
信息内容：产品型号:CMP5N50 应用: * 充电器 * 适配器 * 电源供应器 * 镇流器 特点: * 有创意的新设计 * 100％的雪崩测试 * 非常低的固有电容 * 快速开关 * 改进dv / dt能力 * 5A，500V，RDS（ON）=0.4Ω@ VGS=10 V 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):70 输入电容Ciss(PF):500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 上升时间Tr(ns):48 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ. 下降时间Tf(ns):50 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 KIA1404A,KIA1404,KIA3805ZP
信息内容：产品型号:KIA1404A 1. 特点 * 无铅 * 低RDS（ON），以限度地减少导电损耗 * 低栅极变化快速开关应用 * 的BVDSS能力 2. 应用 * 电源 * DC-DC转换器 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 漏极电流Id(A):164 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 输入电容Ciss(PF):4037 typ. 通道极性:N沟道 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):630 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):61 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ. 下降时间Tf(ns):27 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:40V,164A,0.004Ω N-沟道增强型场效应晶体管
