供应 场效应管 CMP5N50,MDP5N50,SiHP5N50D
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMP5N50 | |
| 品牌/商标： | CMOSFET | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:CMP5N50
应用:
* 充电器
* 适配器
* 电源供应器
* 镇流器
特点:
* 有创意的新设计
* 100％的雪崩测试
* 非常低的固有电容
* 快速开关
* 改进dv / dt能力
* 5A，500V，RDS（ON）=0.4Ω@ VGS=10 V
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):70
输入电容Ciss(PF):500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):48 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ.
下降时间Tf(ns):50 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 KIA1404A,KIA1404,KIA3805ZP
信息内容：产品型号:KIA1404A 1. 特点 * 无铅 * 低RDS（ON），以限度地减少导电损耗 * 低栅极变化快速开关应用 * 的BVDSS能力 2. 应用 * 电源 * DC-DC转换器 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 漏极电流Id(A):164 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 输入电容Ciss(PF):4037 typ. 通道极性:N沟道 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):630 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):61 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ. 下降时间Tf(ns):27 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:40V,164A,0.004Ω N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 CEP12N6,AOT12N60,T12N60
信息内容：产品型号:CEP12N6 超级高密度电池设计极低的RDS（ON）。 高功率和电流移交能力 无铅产品 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.65 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):250 输入电容Ciss(PF):2000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):39 typ. 上升时间Tr(ns):58 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):149 typ. 下降时间Tf(ns):40 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
