供应 场效应管 CEP12N6,AOT12N60,T12N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEP12N6\tCET/华瑞\tTO-220\t\tDIP/MOS\tN场\t600V\t12A\t0.65Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:CEP12N6
超级高密度电池设计极低的RDS（ON）。
高功率和电流移交能力
无铅产品
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.65 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):250
输入电容Ciss(PF):2000 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):39 typ.
上升时间Tr(ns):58 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):149 typ.
下降时间Tf(ns):40 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 600V场效应管 , AOT10N60 ,10N60
信息内容：产品型号:AOT10N60 概述 AOT10N60和AOTF10N60采用了先进的高电压MOSFET制造过程，目的是在热门的AC-DC应用提供 高水平的性能和稳健性。 通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss随着雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新 的和现有的离线电源设计 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):208 输入电容Ciss(PF):1320 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：15 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580 导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ. 上升时间Tr(ns):66 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):76 typ. 下降时间Tf(ns):64 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 SI2309,2309,A9SHB,SI2319
信息内容：产品型号:SI2309 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-1.6A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.345 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-3 功率PD(W):1.7 输入电容Ciss(PF):210 typ. 通道极性:p沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):35 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-60V,-1.6A P-沟道增强型场效应晶体管
