供应 600V场效应管 , AOT10N60 ,10N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOT10N60\tAO\tTO-220\t10NPB\tDIP/MOS\tN场\t600V\t10A\t0.75Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:AOT10N60
概述
AOT10N60和AOTF10N60采用了先进的高电压MOSFET制造过程，目的是在热门的AC-DC应用提供
高水平的性能和稳健性。
通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss随着雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新
的和现有的离线电源设计
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):208
输入电容Ciss(PF):1320 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：15
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580
导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.
上升时间Tr(ns):66 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):76 typ.
下降时间Tf(ns):64 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SI2309,2309,A9SHB,SI2319
信息内容：产品型号:SI2309 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-1.6A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.345 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-3 功率PD(W):1.7 输入电容Ciss(PF):210 typ. 通道极性:p沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):35 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-60V,-1.6A P-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 HAT2192WP,HAT2192,HAT2200
信息内容：产品型号:HAT2200WP 封装:QFN-8 5*6/WPAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):20 输入电容Ciss(PF):2300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.5 单脉冲雪崩能量EAR(mJ):40 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):9.5 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):31 typ. 下降时间Tf(ns):4.6 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,20A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
