供应 三极管 2SD2396,D2396
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SD2396,TO-220F,DIP/MOS,NPN,60V,3A, | |
| 品牌/商标： | ROHM（罗姆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 极性： | NPN型 |
产品型号:2SD2396
封装:TO-220F
通道极性:NPN
集电极-基极电压VCBO(V):80
集电极-发射极电压VCEO(V):60
发射极-基极电压VEBO(V):6
集电极电流 IC(A):3
功率PC(W):30
特征频率fT(MHZ):40
放大倍数hFE:400-2000
集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :0.8
结温Tj(℃)150
存储温度T stg(℃): -55 ~150
描述:60V,3A NPN硅晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AOTF8N50,8N50,TF8N50
信息内容：产品型号:AOTF8N50 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.6 功率PD(W):38.5 输入电容Ciss(PF):868 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307 导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 typ. 上升时间Tr(ns):47 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 typ. 下降时间Tf(ns):38.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 STP40NF10,P40NF10,STP40NF10L
信息内容：产品型号:STP40NF10 特点: 优异的的dv / dt能力 低栅极电荷 100％的雪崩测试 应用 开关应用 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):150 输入电容Ciss(PF):2180 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：22 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):385 导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ. 上升时间Tr(ns):46 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):54 typ. 下降时间Tf(ns):13 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:100V,50A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
