仙童场效应管 原装 FQL40N50 现货 价格 图片 代理商 PDF资料
| 价 格： | 0.45 | |
| 品牌/商标： | FCH美国范恰得 | |
| 型号/规格： | FQL40N50 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
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产品 型号：FQL40N50F
标准包装 ：25
类别 ：分离式半导体产品
FET 型 ：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准型
漏极至源极电压(Vdss) ：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C ：40A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C ：110 毫欧 @ 20A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） ：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 7500pF @ 25V
功率 - ：460W
安装类型 ：通孔
封装/外壳 ：TO-264-3, TO-264AA
供应商设备封装 ：TO-264
包装 ：管件
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 欧春梅
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仙童场效应管 原装FQP44N10 现货 价格 图片 代理商 PDF资料
信息内容：dzsc/18/9926/18992673.jpg产品 型号：FQP44N10标准包装 ：50类别 ：分离式半导体产品FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点 ：标准型漏极至源极电压(Vdss) ：100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C ：43.5A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C ：39 毫欧 @ 21.75A, 10VId 时的 Vgs(th)（）： 4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs ：62nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds ：1800pF @ 25V功率 - ： 146W安装类型 ：通孔封装/外壳 ：TO-220-3供应商设备封装 ：TO-220包装 ：管件
仙童场效应管 原装 FDA50N50现货 价格 图片 代理商 PDF资料
信息内容：dzsc/19/0096/19009657.jpgFDA50N50 标准包装 ：30类别 ：分离式半导体产品FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点 ：标准型漏极至源极电压(Vdss)： 500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C ：48A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C ：105 毫欧 @ 24A, 10VId 时的 Vgs(th)（） ：5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs： 137nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds： 6460pF @ 25V功率 - ：625W安装类型 ：通孔封装/外壳 ：TO-3P-3, SC-65-3供应商设备封装 ：TO-3PN包装 ：管件
