价 格: | 0.65 | |
品牌/商标: | FCH美国范恰得 | |
型号/规格: | FDA50N50 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
dzsc/19/0096/19009657.jpg
FDA50N50
标准包装 :30
类别 :分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 :标准型
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C :48A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25°C :105 毫欧 @ 24A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() :5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 137nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6460pF @ 25V
功率 - :625W
安装类型 :通孔
封装/外壳 :TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装 :TO-3PN
包装 :管件
dzsc/19/0764/19076424.jpg产品 型号:FSDM0265RNB产品相片 8-DIP标准包装 :50类别 :集成电路 (IC)家庭 :PMIC - AC-DC 转换器,离线开关频率范围 ;61 ~ 73kHz输入电压 :8 V ~ 20 V输出电压: 650V功率(瓦特): 27W工作温度 :25°C ~ 140°C封装/外壳 :8-DIP(0.300", 7.62mm)供应商设备封装 8-DIP包装 :管件