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仙童场效应管 原装FQP44N10 现货 价格 图片 代理商 PDF资料

价 格: 0.85
品牌/商标:FCH美国范恰得
型号/规格:FQP44N10
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道

dzsc/18/9926/18992673.jpg

产品 型号:FQP44N10

标准包装 :50

类别 :分离式半导体产品

FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点 :标准型

漏极至源极电压(Vdss) :100V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C :43.5A

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25°C :39 毫欧 @ 21.75A, 10V

Id 时的 Vgs(th)(): 4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs :62nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds :1800pF @ 25V

功率 - : 146W

安装类型 :通孔

封装/外壳 :TO-220-3

供应商设备封装 :TO-220

包装 :管件

深圳市天九电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 欧春梅
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仙童场效应管 原装 FDA50N50现货 价格 图片 代理商 PDF资料

信息内容:

dzsc/19/0096/19009657.jpgFDA50N50 标准包装 :30类别 :分离式半导体产品FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点 :标准型漏极至源极电压(Vdss): 500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C :48A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25°C :105 毫欧 @ 24A, 10VId 时的 Vgs(th)() :5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs: 137nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds: 6460pF @ 25V功率 - :625W安装类型 :通孔封装/外壳 :TO-3P-3, SC-65-3供应商设备封装 :TO-3PN包装 :管件

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仙童集成电路(IC)原装FSDM0265RNB 现货 价格 图片 代理商

信息内容:

dzsc/19/0764/19076424.jpg产品 型号:FSDM0265RNB产品相片 8-DIP标准包装 :50类别 :集成电路 (IC)家庭 :PMIC - AC-DC 转换器,离线开关频率范围 ;61 ~ 73kHz输入电压 :8 V ~ 20 V输出电压: 650V功率(瓦特): 27W工作温度 :25°C ~ 140°C封装/外壳 :8-DIP(0.300", 7.62mm)供应商设备封装 8-DIP包装 :管件

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