价 格: | 1.00 | |
品牌: | SIL美德硅技术 | |
型号: | SI2305DS-T1-E3 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | D/变频换流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GE-P-FET锗P沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
低频跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
VISHAY SILICONIX – SI2305DS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P TO-236
| 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1470101 制造商编号: SI2305DS-T1-E3 RoHS协从产品:是 描述 · 晶体管极性:P · 漏极电流, Id值:3.5A · 电压, Vds:-8V · 开态电阻, Rds(on):0.052ohm · 电压@ Rds测量:-4.5V · 电压, Vgs:-800mV · 功耗:1.25W · 封装类型:TO-236 · 针脚数:3 · 封装类型:TO-236 · 晶体管类型:MOSFET · 电压Vgs @ Rds on测量:-4.5V · 电压, Vds典型值:-8V · 电流, Id连续:-3.5A · 表面安装器件:表面安装 · 阈值电压, Vgs th典型值:-0.8V |
VISHAY SILICONIX - SI7810DN - 场效应管 MOSFET N POWERPAK dzsc/18/8903/18890377.jpg 图片只做观看之用请参考产品描述
VISHAY SILICONIX - SI4874DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 8-SOIC 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1470122 制造商编号: SI4874DY-T1-E3 RoHS协从产品 : dzsc/19/1077/19107723.jpg Y-Ex 描述 晶体管极性:N 开态电阻, Rds(on):0.0075ohm 封装类型:SOIC 封装类型:SOIC 晶体管类型:TrenchFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:15A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1V "