SI4874DY-T1-E3北京天泰恒洲科技(图)
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | SIL美德硅技术 | |
| 型号： | SI4874DY-T1-E3 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
VISHAY SILICONIX - SI4874DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 8-SOIC
RoHS协从产品 : dzsc/19/1077/19107723.jpg Y-Ex
- 描述
- 晶体管极性:N
- 开态电阻, Rds(on):0.0075ohm
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:TrenchFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:15A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
北京天泰恒洲科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：北京
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 廖汉鑫
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
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