SI7810DN-T1北京天泰恒洲科技(图)
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | SIL美德硅技术 | |
| 型号： | SI7810DN-T1 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | C-MIC/电容话筒专用 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
VISHAY SILICONIX - SI7810DN - 场效应管 MOSFET N POWERPAK
| dzsc/18/8903/18890377.jpg 图片只做观看之用 请参考产品描述 北京天泰恒洲科技有限公司
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SI4874DY-T1-E3北京天泰恒洲科技(图)信息内容：VISHAY SILICONIX - SI4874DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 8-SOIC 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1470122 制造商编号: SI4874DY-T1-E3 RoHS协从产品 : dzsc/19/1077/19107723.jpg Y-Ex 描述 晶体管极性:N 开态电阻, Rds(on):0.0075ohm 封装类型:SOIC 封装类型:SOIC 晶体管类型:TrenchFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:15A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1V " 相关产品 |
