英飞凌IGBT单管 原装 IKW25T120 现货 价格 图片 代理商
| 价 格： | 18.00 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | IKW25T120 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
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产品名：IKW25T120
产品相片:TO-247-3
标准包装：240
类别：分离式半导体产品,IGBT 单管
系列: TrenchStop™
IGBT 类型: NPT、沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿（）: 1200V
Vge, Ic时的Vce（开）: 2.2V @ 15V, 25A
电流 - 集电极 (Ic)（）: 50A
功率 - : 190W
输入类型: 标准型
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: PG-TO247-3
包装:管件
- 所属城市：广东 深圳
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仙童场效应管 原装 FQL40N50 现货 价格 图片 代理商 PDF资料
信息内容：dzsc/18/8916/18891627.jpg产品 型号：FQL40N50F标准包装 ：25类别 ：分离式半导体产品FET 型 ：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点： 标准型漏极至源极电压(Vdss) ：500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C ：40A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C ：110 毫欧 @ 20A, 10VId 时的 Vgs(th)（） ：5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs： 200nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds： 7500pF @ 25V功率 - ：460W安装类型 ：通孔封装/外壳 ：TO-264-3, TO-264AA供应商设备封装 ：TO-264包装 ：管件
仙童场效应管 原装FQP44N10 现货 价格 图片 代理商 PDF资料
信息内容：dzsc/18/9926/18992673.jpg产品 型号：FQP44N10标准包装 ：50类别 ：分离式半导体产品FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点 ：标准型漏极至源极电压(Vdss) ：100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C ：43.5A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C ：39 毫欧 @ 21.75A, 10VId 时的 Vgs(th)（）： 4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs ：62nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds ：1800pF @ 25V功率 - ： 146W安装类型 ：通孔封装/外壳 ：TO-220-3供应商设备封装 ：TO-220包装 ：管件
