IRFBG20PBF IR 国际整流器 用于机顶盒上面的芯片
| 价 格： | 5.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFBG20PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.4A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 11 欧姆 @ 840mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 500pF @ 25V
功率 - 54W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 韦蘅珍
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IRF3205PBF IR国际整流器 原装进口现货 功率管 功放IC
信息内容：标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 110A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 8 毫欧 @ 62A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 146nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3247pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 由于价格波动大，本公司均有的产品以0.1价格代替，所以产品如需采购请先与卖家联系！联系人：韦小姐0755-88824483-8006公司所有产品的价格是根据市场行情波动和数量的变化而调整的，拍前请联系，我们会给你惠的价格（未联系直接拍下者，本公司将不发货，同时也不承担任何责任）。望各买家谅解。 如何鉴别IC原装、散新在研发或学习过程中，经常需要买少量的片子，代理的质量虽然好，但是数量太少一般不愿意搭理你，除非有现货并且你上门自取，如果订期货则不一定能达到最小起订量，而且交货期可能长得你无法接受，申请样片同样不是件容易的事，这时你只能到电子市场找货，市场上的货鱼目混杂，要学会甄别好坏 1.拆机片 这些芯片...
MOS管 三极管 场效应IRFIBC40G IRFIBC30GPBF IRFIBC30G
信息内容：数据列表 IRFIBC30G 产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.2 欧姆 @ 1.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 660pF @ 25V 功率 - 35W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件
