MOS管 三极管 场效应IRFIBC40G IRFIBC30GPBF IRFIBC30G
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFIBC30G | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRFIBC30G
产品相片 TO-220AB
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.2 欧姆 @ 1.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 660pF @ 25V
功率 - 35W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商设备封装 TO-220-3
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应 IRG4PC40U IRG4PC40 IRG4PC40UDPbF
信息内容：数据列表 IRG4PC40UDPbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2.1V @ 15V, 20A 电流 - 集电极 (Ic)（） 40A 功率 - 160W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC) 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装
IP2003 输入电压3V-13.2V 是转换IC 国际半导体
信息内容：dzsc/19/0096/19009656.jpgdzsc/19/0096/19009656.jpgdzsc/19/0096/19009656.jpgdzsc/19/0096/19009656.jpg 世界功率管理技术国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日推出一款经过全面优化的功率组合模块解决方案——iPOWIR iP2003A。它适用于3V到13.2V输入电压范围的大电流多相位同步降压转换器,是专门为服务器、台式电脑及数据通信系统中的低压电源线而设计的。作为iPOWIR系列的新成员,iP2003A成功地把硅和无源元件集成到一个紧凑型栅阵列（LGA）封装中。集成硅片中包含同步栅极驱动器、高端和低端功率MOSFET及一个同步肖特基整流器,可有效降低死区时间损耗。该器件能在1MHz工作,提供40A的额定持续输出电流,可全功率工作直至100°C的温度条件。IR中国及香港销售总监严国富表示：“iP2003A与标准的分立式解决方案不同,它能在1MHz下工作,并可凭借更小型的输出滤波器,大大改善瞬态性能,节省电路板面积和降低系统成本。” 一个内含四颗iP2003A的四相转换器如果配合标准的多相脉宽调制（PWM）控制器,可提供160A输出电流,与采用热强化型SO-8封装的功率MOSFET同类解决方案相比,它可以节省55%的电路板空间。 此外,iP2003A集成了转换...
