价 格: | 2.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF3205PBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 110A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 8 毫欧 @ 62A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 146nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3247pF @ 25V
功率 - 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
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如何鉴别IC原装、散新在研发或学习过程中,经常需要买少量的片子,代理的质量虽然好,但是数量太少一般不愿意搭理你,除非有现货并且你上门自取,如果订期货则不一定能达到最小起订量,而且交货期可能长得你无法接受,申请样片同样不是件容易的事,这时你只能到电子市场找货,市场上的货鱼目混杂,要学会甄别好坏
1.拆机片
这些芯片是从电路板上拆下来后再归类,管脚明显有焊锡焊过的痕迹,亮闪闪,管脚间距明显不等,表面印刷文字和图案的大小,字体,深浅有差别,生产批号一般不相同,背面的产地标识比较杂
2. 打磨片
这些芯片很像全新片,表面印刷文字和图案的大小,字体,深浅基本无明显差异,批号也相同,但仔细观察芯片表面你会发现有许多微小的平行划痕,背面的产地标识也不相同,管脚一般不会是亮闪闪的,而是亚光的,有氧化的痕迹,管脚间距比较一致。一般来讲打磨片主要是全新片时间放得太长了,或是批号比较杂,为了好卖而打磨后印成统一的比较新的生产批号
3.散新片
这些芯片表面印刷文字和图案的大小,字体,深浅有差别,生产批号一般不相同,背面的产地标识比较杂,但管脚没有使用过的痕迹,倒是有氧化的痕迹。
4.全新片
这些芯片表面印刷文字和图案的大小,字体,深浅,生产批号,背面的产地标识非常一致,管脚非常整齐,亚光的表面的中间会有一道亮恨*,装芯片的管字非常新,很透明,不发黄
5、国产芯片
所谓的国产就是指中国产地的,由于进口芯片供不应求的市场,国产芯片就有了市场了,一些比较低端的产品,可以用拿国产的芯片来用,可以减少成本,不良率也很少。
6.一点建议
在前三种芯片中,1的可靠性最差,3的可靠性其次,2的可靠性较好,5用于低端产品反应还是蛮不错的。另外可以编程的期间尽量买全新片,1,2,3类对可编程的器件来将故障率都非常高。
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数据列表 IRFIBC30G 产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 2.2 欧姆 @ 1.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 660pF @ 25V 功率 - 35W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件
数据列表 IRG4PC40UDPbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿() 600V Vge, Ic时的Vce(开) 2.1V @ 15V, 20A 电流 - 集电极 (Ic)() 40A 功率 - 160W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC) 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装