SI2308DS-T1-E3北京天泰恒洲科技
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | SIL美德硅技术 | |
| 型号： | SI2308DS-T1-E3 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | D/变频换流 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
VISHAY SILICONIX - SI2308DS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SOT-23
| 制造商: VISHAY SILICONIX
制造商编号: SI2308DS-T1-E3 RoHS协从产品:是 描述 · 晶体管极性:N · 漏极电流, Id值:2A · 电压, Vds:60V · 开态电阻, Rds(on):0.16ohm · 电压@ Rds测量:10V · 电压, Vgs:3V · 功耗:1.25W · 封装类型:SOT-23 · 针脚数:3 · 封装类型:SOT-23 · 晶体管类型:MOSFET · 电压Vgs @ Rds on测量:10V · 电压, Vds典型值:60V · 电流, Id连续:2A · 表面安装器件:表面安装 · 阈值电压, Vgs th典型值:3V |
- 所属城市：北京
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 廖汉鑫
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SI2305DS-T1-E3北京天泰恒洲科技
信息内容：VISHAY SILICONIX – SI2305DS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P TO-236 制造商:VISHAY SILICONIX库存编号:1470101制造商编号:SI2305DS-T1-E3RoHS协从产品:是描述· 晶体管极性:P· 漏极电流, Id值:3.5A· 电压, Vds:-8V· 开态电阻, Rds(on):0.052ohm· 电压@ Rds测量:-4.5V· 电压, Vgs:-800mV· 功耗:1.25W· 封装类型:TO-236· 针脚数:3· 封装类型:TO-236· 晶体管类型:MOSFET· 电压Vgs @ Rds on测量:-4.5V· 电压, Vds典型值:-8V· 电流, Id连续:-3.5A· 表面安装器件:表面安装· 阈值电压, Vgs th典型值:-0.8V
SI7810DN-T1北京天泰恒洲科技(图)
信息内容：VISHAY SILICONIX - SI7810DN - 场效应管 MOSFET N POWERPAK dzsc/18/8903/18890377.jpg 图片只做观看之用请参考产品描述
