可控硅晶闸管模块MTC500A/3000V
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | MTC500A/3000V | |
| 控制方式： | 单向 | |
| 极数： | 三极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 封装外形： | 模块 | |
| 关断速度： | 普通 | |
| 散热功能： | 不带散热片 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 额定正向平均电流： | 500（A） | |
| 控制极触发电压： | 0（V） | |
| 控制极触发电流： | 0（mA） | |
| 正向重复峰值电压： | 0（V） | |
| 反向阻断峰值电压： | 0（V） |
符号 | 参数名称 | 参数值 | 单位 | 测试条件 | ||||
ITAV | 通态电流 平均值 | 500 | 600 | 800 | A | 180°导通 正弦半波 | ||
IFAV | 正向电流 平均值 | 500 | 600 | 800 | A | 180°导通 正弦半波 | ||
ITSM IFSM | 浪涌电流 | 9500 9500 | 10800 10800 | 14400 14500 | A | T=10mS 非重复 T=8.3mS 非重复 | ||
I2T |
| 455000 456000 | 583000 583000 | 1037000 1037000 | A2S | T=10mS 非重复 T=8.3mS 非重复 | ||
IRRM/ IDRM | 断态漏电流 | 20 | 35 | mA | TJ=125℃,门极开路 | |||
VRRM | 反向重复峰值电压 | 800-1800 | V | 125℃ I RRM,I DRM=20~35mA 门极开路 | ||||
VDRM | 断态重复峰值电压 | 800-1800 | ||||||
VTM VFM | 峰值通态电压 峰值正向电压 | 1.9 1.9 | 1.9 1.9 | 1.9 1.9 | V | ITM=πITAV；IFM=πIFAV TJ=25℃ 180°导通 | ||
Di/dt | 通态电流上升率 | 150 | A/μS | TJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μs | ||||
Dv/dt | 断态电压上升率 | 500 | V/μS | TJ=125℃,0.67VDRM，门极开路 | ||||
IH | 维持电流 | 200 | mA | TJ=25℃,阳极电压=6V 阻性负载，门极开路 | ||||
IL | 擎住电流 | 400 | mA | TJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载 | ||||
PGM | 门极峰值功率 | 12 | 12 | 14 | W |
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IGM | 门极峰值电流 | 3 | 3 | 4 | A |
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VGT | 门极触发电压 | 3 | V | TJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载 | ||||
IGT | 门极触发电流 | 150 | mA | |||||
VISO | 绝缘电压 | 2500 | V | 50HZ电路对基板，接线端短接。T=1s | ||||
TJ | 工作结温 | -40 to 125 | ℃ |
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Tstg | 储存温度 |
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RthJC | 结壳热阻 | 0.06 | 0.06 | 0.04 | K/W | 每个模块，直流 | ||
RthCS | 接触热阻 基板/散热器 | 0.015 | K/W | 涂导热硅脂 | ||||
Wt | 重量 | 1061 | 1650 | 3108 | g |
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| 外形尺寸 | 见图27 | mm |
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| 外壳颜色 | 黑 |
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| 冷却方式 | 水冷 |
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- 所属城市：北京 北京市
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- 联系人： 宋晓龙
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- 传真：010-62146748
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单管二极管模块MD200A/1600V
信息内容：1型号IF(AV)@TcVRRMVFM@IFMIRRMIFSMVFOrFRjcTjmViso外型A°CVVAmAA×103VmΩ°C/W°CV(A.C) MD(i)555585600-20001.3517061.100.802.350.531502500outlineMD10010085600-20001.3530083.300.802.OO0.151502500outlineMD16016085600-25001.40480125.300.801.250.101502500outlineMD20020085600-25001.40600126.600.801.000.101502500outlineMD(i)25025085600-25001.45750127.000.800.800.051502500outlineMD30030085600-25001.45900157.000.800.750.051502500 MD(i)30030085600-25001.45900157.500.800.720.051502500 MD(i)40040085600-25001.4512001510.250.800.540.051502500 MD(i)50050085600-25001.4515001512.500.800.430.051502500 "
可控硅模块MTC800A/2400V
信息内容：符号 参数名称 参数值 单位 测试条件 ITAV 通态电流 平均值 500 600 800 A 180°导通 正弦半波 IFAV 正向电流 平均值 500600800A180°导通 正弦半波ITSMIFSM浪涌电流9500950010800108001440014500AT=10mS 非重复T=8.3mS 非重复I2T 45500045600058300058300010370001037000A2ST=10mS 非重复T=8.3mS 非重复IRRM/IDRM断态漏电流2035mATJ=125℃,门极开路VRRM反向重复峰值电压800-1800V125℃ I RRM,I DRM=20~35mA门极开路VDRM断态重复峰值电压800-1800VTMVFM峰值通态电压峰值正向电压1.91.91.91.91.91.9VITM=πITAV；IFM=πIFAVTJ=25℃ 180°导通Di/dt通态电流上升率150A/μSTJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μsDv/dt断态电压上升率500V/μSTJ=125℃,0.67VDRM，门极开路IH维持电流200mATJ=25℃,阳极电压=6V 阻性负载，门极开路IL擎住电流400mATJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载PGM门极峰值功率121214W IGM门极峰值电流334A VGT门极触发电压3VTJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载IGT门极触发电流150mAVISO绝缘电压2500V50HZ电路对基板，接线端短接。T=1sTJ工作结温-40 to 125℃ Tstg储存温度 RthJC结壳热阻0.060.060.04K/W每个模块，直流RthC...
