可控硅模块MTC800A/2400V
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | MTC800A/2400V | |
| 控制方式： | 单向 | |
| 极数： | 三极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 封装外形： | 模块 | |
| 关断速度： | 普通 | |
| 散热功能： | 不带散热片 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 额定正向平均电流： | 800（A） | |
| 控制极触发电压： | 0（V） | |
| 控制极触发电流： | 0（mA） | |
| 正向重复峰值电压： | 0（V） | |
| 反向阻断峰值电压： | 0（V） |
符号 | 参数名称 | 参数值 | 单位 | 测试条件 | ||||
ITAV | 通态电流 平均值 | 500 | 600 | 800 | A | 180°导通 正弦半波 | ||
IFAV | 正向电流 平均值 | 500 | 600 | 800 | A | 180°导通 正弦半波 | ||
ITSM IFSM | 浪涌电流 | 9500 9500 | 10800 10800 | 14400 14500 | A | T=10mS 非重复 T=8.3mS 非重复 | ||
I2T |
| 455000 456000 | 583000 583000 | 1037000 1037000 | A2S | T=10mS 非重复 T=8.3mS 非重复 | ||
IRRM/ IDRM | 断态漏电流 | 20 | 35 | mA | TJ=125℃,门极开路 | |||
VRRM | 反向重复峰值电压 | 800-1800 | V | 125℃ I RRM,I DRM=20~35mA 门极开路 | ||||
VDRM | 断态重复峰值电压 | 800-1800 | ||||||
VTM VFM | 峰值通态电压 峰值正向电压 | 1.9 1.9 | 1.9 1.9 | 1.9 1.9 | V | ITM=πITAV；IFM=πIFAV TJ=25℃ 180°导通 | ||
Di/dt | 通态电流上升率 | 150 | A/μS | TJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μs | ||||
Dv/dt | 断态电压上升率 | 500 | V/μS | TJ=125℃,0.67VDRM，门极开路 | ||||
IH | 维持电流 | 200 | mA | TJ=25℃,阳极电压=6V 阻性负载，门极开路 | ||||
IL | 擎住电流 | 400 | mA | TJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载 | ||||
PGM | 门极峰值功率 | 12 | 12 | 14 | W |
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IGM | 门极峰值电流 | 3 | 3 | 4 | A |
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VGT | 门极触发电压 | 3 | V | TJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载 | ||||
IGT | 门极触发电流 | 150 | mA | |||||
VISO | 绝缘电压 | 2500 | V | 50HZ电路对基板，接线端短接。T=1s | ||||
TJ | 工作结温 | -40 to 125 | ℃ |
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Tstg | 储存温度 |
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RthJC | 结壳热阻 | 0.06 | 0.06 | 0.04 | K/W | 每个模块，直流 | ||
RthCS | 接触热阻 基板/散热器 | 0.015 | K/W | 涂导热硅脂 | ||||
Wt | 重量 | 1061 | 1650 | 3108 | g |
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| 外形尺寸 | 见图27 | mm |
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| 外壳颜色 | 黑 |
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| 冷却方式 | 水冷 |
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- 所属城市：北京 北京市
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非绝缘型二极管模块MDG160A/1600V
信息内容：1特点 应用 说明 1、非绝缘，底板为公共电极 2、国际标准封装3、全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力4、工作结温达150℃5、高浪涌电流6、低正向压降1、电焊机电源2、各种DC电源3、变频器4、劢磁电源1、VRSM=VRRM 200V除VFM，Viso外，表中参数皆为在Tjm下的测试值。2、当使用在电流为60HZ情况下：ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=TjmI2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm3、VTO:门槛电压，rT斜率电阻仅供设计时计算器件的功耗以及不同温度条件下的电流额定值之用。4、I2t=I2FSMtW/2; tw=正弦半波电流底宽。在50HZ情况下，I2t(10ms)=0.005I2FSM(A2S)MDG，MDY型号IF(AV)@TcVRRMVFM@IFMIRRMIF(RMS)IFSMI2tVFOrFRjcTjm外型A°CVVAmAmAA×103A2s×104VmΩ°C/W°C MDx6060115200-6001.301806942.503.180.802.390.500150outlineMDx5050100800-18001.601508791.901.840.804.780.700150 MDx8080115200-6001.3324081263.405.890.801.510.400150 MDx100100100800-18001.57300121573.907.750.802.130.380150 MDx100100115200-6001.3530081574.208.990.801.590.290150 MDx130130115200-6001.39390122045.5015.420.801.080.230150 MDx15015010...
可控硅晶闸管模块MTC400A/2200V
信息内容：符号 参数名称 参数值 单位 测试条件 ITAV 通态电流 平均值 350 400 500 A 180°导通 正弦半波IFAV正向电流 平均值350400500A180°导通 正弦半波ITSMIFSM浪涌电流8400900091009800950011000AT=10mS 非重复T=8.3mS 非重复I2T 330000330000400000400000450000450000A2ST=10mS 非重复T=8.3mS 非重复IRRM/IDRM断态漏电流1520mATJ=125℃,门极开路VRRM反向重复峰值电压800-1800V125℃ I RRM,I DRM=15~20mA门极开路VDRM断态重复峰值电压800-1800VTMVFM峰值通态电压峰值正向电压1.91.901.501.901.50VITM=πITAV；IFM=πIFAVTJ=25℃ 180°导通Di/dt通态电流上升率150A/μSTJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μsDv/dt断态电压上升率500V/μSTJ=125℃,0.67VDRM，门极开路IH维持电流200mATJ=25℃,阳极电压=6V 阻性负载，门极开路IL擎住电流400mATJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载PGM门极峰值功率101212W IGM门极峰值电流2.533A VGT门极触发电压≤2VTJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载IGT门极触发电流≤100mAVISO绝缘电压2500V50HZ电路对基板，接线端短接。T=1sTJ工作结温-40 to 125℃ Tstg储存温度 RthJC结壳热阻0.070.0650.06K/W每个模块，直流...
