供应 场效应管 QM6015B,M6015B,QM6015
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM6015B,SOT-263,SMD/MOS,N场,-60V,-45A,0.025Ω | |
| 品牌/商标： | UBIQ | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
产品型号:QM6015B
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2.5
功率PD(W):86.8
输入电容Ciss(PF):3635 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：23
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162
导通延迟时间Td(on)(ns):38 typ.
上升时间Tr(ns):23.6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.
下降时间Tf(ns):6.8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-60V,-45A P-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 IRF3205,CMP3205A,KIA3205B
信息内容：产品型号:KIA3205N 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):110 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):TYP.4 功率PD(W):200 极间电容Ciss(PF):2950 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480 温度(℃): -55 ~175 描述:55V,110A N-Channel POWER MOSFET TRANSISTOR
供应 三极管 2SD2396,D2396
信息内容：产品型号:2SD2396 封装:TO-220F 通道极性:NPN 集电极-基极电压VCBO(V):80 集电极-发射极电压VCEO(V):60 发射极-基极电压VEBO(V):6 集电极电流 IC(A):3 功率PC(W):30 特征频率fT(MHZ):40 放大倍数hFE:400-2000 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :0.8 结温Tj(℃)150 存储温度T stg(℃): -55 ~150 描述:60V,3A NPN硅晶体管
