SO8, N沟MOSFET
| FDS6690A |
| 8-SOIC |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 12.5 毫欧 @ 11A, 10V |
| 30V |
| 11A |
| 3V @ 250µA |
| 16nC @ 5V |
| 1205pF @ 15V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC(0.154", 3.90mm |
类别集成电路 (IC)家庭PMIC - PFC(功率因数修正)系列Natural Interleaving™模式间歇(跃迁)频率 - 开关500kHz电流 - 启动200µA电源电压14 V ~ 21 V工作温度-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装封装/外壳16-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装16-SOICN包装带卷 (TR)"
数据列表IRLL024NPbF产品相片IRLL024NTRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 3.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)()2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs15.6nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.1A在 Vds 时的输入电容(Ciss)510pF @ 25V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA包装带卷 (TR)产品目录页面1377 (CN091-10 PDF)"