价 格: | 3.00 | |
品牌/商标: | ZET英国XETEX | |
型号/规格: | IRLL024N | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | CC/恒流 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 55(V) | |
夹断电压: | 55(V) | |
极间电容: | 510(pF) | |
漏极电流: | 310(mA) | |
耗散功率: | 100(mW) |
IRLL024NPbF |
IRLL024NTRPBF |
IRFL(L) Series Top |
2,500 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
65 毫欧 @ 3.1A, 10V |
55V |
2V @ 250µA |
15.6nC @ 5V |
3.1A |
510pF @ 25V |
1W |
表面贴装 |
SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA |
带卷 (TR) |
1377 (CN091-10 PDF) |
数据列表IRFL024ZPbF标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C57.5 毫欧 @ 3.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.1A在 Vds 时的输入电容(Ciss)340pF @ 25V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA
SO8, N沟MOSFET数据列表SI4840DY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 14A, 10V漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10AId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.56W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)