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N沟MOSF管RFL024Z

价 格: 3.00
品牌/商标:ZET英国XETEX
型号/规格:IRFL024Z
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:CC/恒流
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:55(V)
夹断电压:55(V)
极间电容:340(pF)
漏极电流:510(mA)
耗散功率:140(mW)

数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳
IRFL024ZPbF
2,500
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
57.5 毫欧 @ 3.1A, 10V
55V
4V @ 250µA
14nC @ 10V
5.1A
340pF @ 25V
1W
表面贴装
SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 孔维年
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类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器SeriesHEXFRED®电压 - (Vr)()600V电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()1.7V @ 8A电流 - 平均整流 (Io)8A电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 600V二极管型标准速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)55ns电容@ Vr, F-安装类型通孔,径向封装/外壳TO-220AC包装管件

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