场效应管 150N03,150N03LD,035N04
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | 150N03LD infineon 08NPB P-TDSON-8 N场 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 20V | |
| 开启电压： | 1-2.2V |
<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格
。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应!
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源
infineon MOSFET场效应管系列:
直插(TO-220) N沟道场效应管:
IPP03N03LBG 80A 25V
IPP05N03LBG 80A 30V
IPP055N03LG 50A 30V
IPP070N06LG 80A 60V
IPP080N03LG 50A 30V
IPP147N03LG 20A 30V
SPP80N03S2L 80A 30V
SPP80N03S2 80A 30V
IPP023N04NG 90A 40V
023N04N 90A 40V
IPP048N06LG 100A 60V
048N06L 100A 60V
IPP16CN10LG 100A 54V
贴片(P-TDSON-8) N沟道场效应管:
BSC019N04NSG,BSC020N03MSG,BSC024N025SG
BSC025N03MSG,BSC026N02KSG,BSC029N025SG
BSC030N03LSG,BSC030N03MSG,BSC030N04NSG
BSC035N04LSG,BSC048N025SG,BSC050N03LSG
BSC050N03MSG,BSC054N04NSG,BSC059N04LSG
BSC080N03LSG,BSC080N03MSG,BSC090N03LSG
BSC090N03MSG,BSC100N03LSG,BSC150N03LDG
BSC750N10NDG,BSO052N03S,BSZ040N04LSG
BSZ058N03LSG,BSZ058N03MSG,BSZ088N03LSG
BSZ097N04LSG,BSZ100N03MSG,BSZ165N04NSG
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25V场效应管 AP86T02GH,86T02GH
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.电脑主板显卡场效应管：2SK3467-ZK 05 NEC SOT-263 20V 80A 2SK3572-ZK 05 NEC SOT-263 20V 80A 0.0057Ω2SK3638-ZK-E1 05 NEC SOT-252 20V 64A 0.0085Ω2SK3639-ZK-E1 06/05 NEC SOT-252 20V 64A 0.0055ΩAOB414 04NPB AO SOT-263 30V 110A 0.0042ΩAOD404 05NPB AO SOT-252 30V 85A 0.007ΩAOD412 05NPB AO SOT-252 30V 85A 0.007ΩAOD452 09 AO SOT-252 25V 55A 0.0085ΩAOD448,SOT-252,AO,SMD/MOS,30V.75A.0.005ΩAP60N03S 03 AP/富鼎 SOT-263 30V 55A 0.0135ΩAP70L02GH 04 AP/富鼎 SOT-252 25V 66A AP70T03GH 07 AP/富鼎 SOT-252 30V 60A AP72T02GH 09 AP/富鼎 SOT-252 25V 62A 0.009ΩAP80N03S 02 AP/富鼎 SOT-263 30V 80A AP85L02GH 07 AP/富鼎 SOT-252 25V 85A AP85L02S 03 AP/富鼎 SOT-263 25V 85A AP86T02GH 09 AP/富鼎 SO...
场效应管 IRFS634A IRFS634B
信息内容：产品型号:IRFS634A封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):5.8源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):38输入电容Ciss(PF):730 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：5.41单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.上升时间Tr(ns):14 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.下降时间Tf(ns):21 typ.温度(℃): -50 ~150描述:250V,5.8A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET 产品型号:IRFS634B源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45漏极电流Id(on)(A):8.1通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150描述:250V,8.1A功率MOSFET 应用范围：.UPS电源如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
